Транзисторы Cree MOSFET — лучшая замена IGBT для высоковольтного преобразования напряжения! Хотите создавать электронные схемы с высокой производительностью? Тогда пора отказаться от IGBT и использовать транзисторы Cree MOSFET.
Компания Cree осуществила прорыв в разработке Cree MOSFET транзисторов и изменила принципы работы преобразователей напряжения, открыв новые возможности в конструкции электронных схем.
Технология Cree MOSFET сочетает в себе преимущества обычных MOSFET транзисторов и передовые разработки, позволяющие добиться работы при допустимом напряжением до 1700 вольт с малыми потерями при переключении.
Транзисторами Cree MOSFET можно заменить IGBT транзисторы последних поколений и в 6 раз уменьшить потери при переключении.
Высоковольтные и высокочастотные транзисторы Cree Mosfet открывают новые возможности для разработки устройств повышенной производительности. Новые, революционные технологии в электронных схемах можно использовать прямо сейчас!